Официальный веб -сайт подлинное моделирование FINFET на основе интегрированного моделирования и проектирования схемы основано на стандартном моделировании моделирования BSIM CMG Характеристики модели моделирования трехмерной транзисторной структуры
Вес товара: ~0.7 кг. Указан усредненный вес, который может отличаться от фактического. Не включен в цену, оплачивается при получении.
Описание товара
Основная информация | |
наименование товара: |  —— |
делать   |  &Миддот; Сингх&Миддот; |
город  поле  цена: |   99,00 Юань |
ISBN номер: | 9787111659815 |
Дата публикации: | 2020-08 |
Страница &Nbsp; номер: | 239 |
Характер &Nbsp; номер: |   |
вне   Общество: |   Machinery Industry Press |
Оглавление |
Переводчик Предисловие ГЛАВА 1 FINFET—— от концепции устройства до Стандартная компактная модель 1 1121 Century Mosfet Причина 1 12 Тонкая теория мосфета тела 3 13finfet и новый MOSFET Zoom Путь 3 1 4 Ультра -типичный эффект тела Транзистор 4 15finfet Compact Model—— процесс FINFET Мост со встроенной цепи 5 16 Первая стандартная компактная модель BSIM Упрощенная история 6 17 модель основной модели и фактическая модель устройства 7 18 FINFET, который соответствует отраслевым стандартам Компактная модель 9 Ссылки 10 Глава 2 на основе моделирования и радиочастотных приложений Компактная модель 11 21 Обзор 11 22 Важные индикаторы компактной модели 12 23 Индекс схемы моделирования 12 23 静 1 Статическая рабочая точка 12 232 Геометрический размер Zoom 16 233 переменная модель 17 234. 23 速 5 Скорость: Частота усиления единицы 24 23 噪 6 шум 27 237 Линейность и симметрия 28 238 Симметрия 35 24 Индикатор радиочастотной цепи 36 241 два параметра порта 36 24 速 2 скорости спроса 38 243 НЕ -Статическая модель 46 24 噪 4 шум 47 245 Линейность 53 25 Резюме 57 Ссылки 57 Глава 3 Finfet Core Model 59 31 Основная модель FINFET 60 32 Unified Finfet Compact Model 67 Глава 3 Приложение Подробное электрическое импульс Surface Electric Модель 72 3A 启 1 непрерывная функция запуска 73 3A 正 2 Итерация четырех поправок: реализация и наследие Оценка 75 Ссылка 80 Глава 4 Tuer Current и Faction Devices Эффект 83 41 Обзор 83 42 Пороговое напряжение. 43 субтророговой дегенерация наклона 89 44 VTH коррекция в квантовой механике 90 45 Деградация скорости миграции вертикального поля 91 46 Discovery напряжение VDSAT92 461 не -Этот пример (rdsmod = 1 и 2) 92 462 Пример (rdsmod = 0) 94 47 Модель насыщения скорости 97 48 Квантовый эффект 98 481 модель эффективной ширины 99 482 Эффективная толщина окисляющего слоя/эффективная Конденсатор 101 483 Совокупный расчет заряда 101 49 Модель горизонтальной неравномерной смешивания 102 102 410 модель эффекта тела Finfet (Bulkmod = 1) 102 411 модель выходного сопротивления 102 411 1 Модуляция длины турора 103 411 2 утечки, чтобы уменьшить потенциал и уменьшить 105 412 Cannel Curange 106 Ссылки 106 ГЛАВА 5 Утечка ток 108 51 Слабое отражающее ток 109 52 сетка вызвала утечку источника и утечку сетки Утечка 110 521BSIM-CMG CAVAL вызвала утечку слива Утечка/сетка вызвала исходную полюсной полюс формулы 112 53 Туннель полярного окисления полярного полярного окисления через 113 Галерея кислород в 531bsim-cmg Гилированный туннельный пирсинг формула 113 532 в исчерпывающей области и отражающей зоне Туннельный пропуск галереи Туннель Ток 114 533 Туннель галереи Носить ток 115 534 Туннель галереи-диггера в отражателе Пирс ток 117 53 栅 5 галерея-источник/полностью туннельный проход 118 54 Collision Electrical 9 119 Ссылки 120 Глава 6 заряды, конденсаторы и не -квази -статический статический Эффект 121 61 Терминальный заряд 121 61 栅 1 заряд сетки 121 61 漏 2 Обеспеченное заряд 123 61 源 3 исходного полюса заряда 124 62 Cross -Joint 124 63 Модель 126 не -квази -статический эффект 126 63 弛 1 Время релаксации Приблизительно модель 126 63 沟 2 -индуцированная сетка Тунан Модель 128 633 модель сегмента заряда 128 Ссылки 132 Глава 7 Паразитарное сопротивление и емкость 133 71FINFET Структура и символ устройства Определение 134 72FINFET связан с геометрическим размером Источник/директор модель строительства 137 721 Контактное сопротивление 137 72 扩 2 диффузионная сопротивление 139 72 扩 3 Утилизация удлинения 142 73 Проверка модели паразитического сопротивления 143 731TCAD Настройки моделирования 144 73 器 2 Оптимизация устройства 145 73 源 3 Источник/Fulia Extract 146 73 讨 4 Обсуждение 150 74 Применение модели паразитического сопротивления рассмотрим 151 741 Физические параметры 152 742 Компонент сопротивления 152 75 Модель сопротивления полюса 153 76FINFET Паразитарный конденсатор модель 153 76 寄 1 компонент паразитной емкости Контакт 153 762 Переваривание двухмерных краев -конденсаторов 154 77 Finfet Edge емкость в трехмерной структуре Моделирование: CGEOMOD = 2160 78 Проверка модели паразитического конденсатора 161 79 Резюме 165 Ссылка 166 Глава 8 Шум 168 81 Обзор 168 82 тепловой шум 168 83 Flash Noise 170 84 Другие компоненты шума 173 85 Резюме 174 Ссылки 174 Глава 9 Диоды I-V и C-V Модель 175 91 Модель джиекси -диода 176 911 Модель обратного преимущества 179 92 Зарядка диода/конденсатор модель 181 921 Обратная модель 182 922 Модель популярности 183 Ссылки 186 ГЛАВА 10 Цель компактной модели Тест 187 101 Принципы выпускника ближе 187 102 тест. 188 1021 Физика слабых областей анти -типа и сильных анти -антиповых областей Поведенческая проверка 188 1022 тест на симметрию 191 1023 Взаимосвязь конденсаторов в компактных моделях Тест 194 1024 1025 Тест модели теплового шума 196 Ссылки 196 Глава 11 Параметры модели BSIM-CMG Выдержка 197 111 Фон извлечения параметров 197 112BSIM-CMG Извлечение параметров модели Стратегия 198 113 Резюме 206 Ссылки 206 Глава 12 Характер температуры 208 121 полупроводниковые характеристики 208 12 11 полоса содержит 208 1212nc, VBI и VBI иΦ B температура Особенности 209 1213 температура концентрации потока нагрузки Особенности 209 122 Температурные характеристики порогового напряжения 209 209 122 漏 1 Температура снижения потенциального барьера Особенности 210 1222 Характеристики температуры эффекта тела 210 122 亚 3 подтероговая ширина свинга 210 123 Свойства температуры миграции 210 124 Характеристики температуры насыщения скорости 211 1241 Температура не насыщенного эффекта Особенности 211 125 Температурные характеристики тока утечки 212 125 栅 1 ток полюса сетки 212 125 栅 2 Ситтробация/Утечка источника 212 125 碰 3 Электрическая ионизация столкновения 212 126. Особенности 212 127 Источник/Прекрасная трубка Diopya 213 1271 Модель постоянного тока 213 1272 емкость 215 1273 Вспомогательный проход вспомогательного туннеля. 128. 129 Диапазон проверки 218 1210 Проверка модели модели 218 Ссылки 220 Приложение 221 Приложение Список параметров 221 A1 Модельный контроллер 221 ANEVER PARATERS 222 A3 Параметр процесса 223 A4 Базовый параметр 224 A5 Геометрические паразиты 235 А.6 температурная корреляция и параметры самостоятельного выживания 236 A -7 переменная параметр 238 |
краткое введение |
С характеристиками процесса интегрированной схемы, входящих в узлы ниже 28 нм, традиционная структура плоского MOSFET больше не применима, а новая трехмерная структура кристаллической трубки (FINFET) постепенно становится важной гарантией закона Мура.Эта книга начинается с принципов и физических последствий трехмерной структуры и обсуждает фон, принципы, параметры и методы реализации, генерируемые компактной моделью Finfet (BSIM-CMG);Эта книга позволяет избежать сложных производных формул и проводила более прямой анализ механизма и стремится позволить читателям понять характеристики и использование BSIM-CMG с уровня технологий и устройства. Эта книга может использоваться в качестве профессиональных учебников и справочников учителей для микроэлектроники и твердой электроники, электронного информационного проектирования и т. Д., А также может использоваться в качестве инженеров для моделей интегрированных цепи. |